Name: IXTP110N12T2
Brand: IXYS
SKU: IXTP110N12T2
Availability: InStock
Rating: 5 (145 reviews)

IXTP110N12T2

Pour Référence Seulement

Référence	IXTP110N12T2
Fabricant	IXYS
Description	120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Fiche technique	IXTP110N12T2 Fiche technique
paquet	TO-220-3
ECAD
En stock	6 456 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 24 - nov. 29 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IXTP110N12T2

Fabricant	IXYS
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	TO-220-3
ECAD
Séries	TrenchT2?
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	120V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	110A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6570pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	517W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	14 mOhm @ 55A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3

IXTP110N12T2 fiche technique

IXTP110N12T2 Packaging

IXTP110N12T2 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Référence

Fabricant

Description

Stock

IXTP110N12T2

D# IXTP110N12T2-ND

IXYS Corporation

MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB

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IXTP110N12T2

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