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IXTH1N170DHV

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Pour Référence Seulement

Référence IXTH1N170DHV
Fabricant IXYS
Description MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 48 piece(s)
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Spécifications IXTH1N170DHV

FabricantIXYS
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesDepletion
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)1700 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1A (Tj)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)0V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3090 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FETDepletion Mode
Dissipation de puissance (max)290W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs16Ohm @ 500mA, 0V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247HV
Paquet / casTO-247-3 Variant

IXTH1N170DHV Packaging

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Sealing
Packing
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IXTH1N170DHV FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTH1N170DHV is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IXTH1N170DHV price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IXTH1N170DHV?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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