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IXTH1N100

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Pour Référence Seulement

Référence IXTH1N100
Fabricant IXYS
Description MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
Fiche technique
paquet TO-247-3
ECAD
En stock 7 504 piece(s)
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Spécifications IXTH1N100

FabricantIXYS
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-247-3
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 25µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs11 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247 (IXTH)
Paquet / casTO-247-3

IXTH1N100 Packaging

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Sealing
Packing
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IXTH1N100 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTH1N100 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTH1N100. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTH1N100 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTH1N100 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTH1N100 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTH1N100?
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