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IXTH06N220P3HV

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IXTH06N220P3HV

Pour Référence Seulement

Référence IXTH06N220P3HV
Fabricant IXYS
Description MOSFET N-CH 2200V 600MA TO247HV
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IXTH06N220P3HV

FabricantIXYS
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesPolar P3™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)2200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C600mA (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs10.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)104W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs80Ohm @ 300mA, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247HV
Paquet / casTO-247-3 Variant

IXTH06N220P3HV Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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IXTH06N220P3HV FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTH06N220P3HV is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IXTH06N220P3HV price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTH06N220P3HV?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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