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IXTA08N100D2HV-TRL

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Pour Référence Seulement

Référence IXTA08N100D2HV-TRL
Fabricant IXYS
Description MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IXTA08N100D2HV-TRL

FabricantIXYS
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesDepletion
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)1000 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C800mA (Tj)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)0V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 25µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs14.6 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FETDepletion Mode
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs21Ohm @ 400mA, 0V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263HV
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTA08N100D2HV-TRL Packaging

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Sealing
Packing
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IXTA08N100D2HV-TRL FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTA08N100D2HV-TRL is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTA08N100D2HV-TRL?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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