Name: IXFN210N30X3
Brand: IXYS
SKU: IXFN210N30X3
Availability: InStock
Rating: 5 (181 reviews)

IXFN210N30X3

Pour Référence Seulement

Référence	IXFN210N30X3
Fabricant	IXYS
Description	MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	141 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IXFN210N30X3

Fabricant	IXYS
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	HiPerFET™, Ultra X3
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	300 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	210A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	375 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	24200 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	695W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	4.6mOhm @ 105A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-227B
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC

IXFN210N30X3 Packaging

IXFN210N30X3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFN210N30X3 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFN210N30X3 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IXFN210N30X3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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