Name: IXFN170N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXFN170N65X2
Availability: InStock
Rating: 5 (111 reviews)

IXFN170N65X2

Pour Référence Seulement

Référence	IXFN170N65X2
Fabricant	IXYS
Description	MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	60 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 29 - janv. 3 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IXFN170N65X2

Fabricant	IXYS
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	HiPerFET™, Ultra X2
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	170A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	434 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	27000 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1170W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	13mOhm @ 85A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-227B
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC

IXFN170N65X2 Packaging

IXFN170N65X2 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFN170N65X2 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFN170N65X2 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IXFN170N65X2.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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