| Référence | IXFH9N80Q |
|---|---|
| Fabricant | IXYS |
| Description | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-247-3 |
| ECAD |
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| En stock | 5 072 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | déc. 24 - déc. 29 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Fabricant | IXYS |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-247-3 |
| ECAD |
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| Séries | HiPerFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 800V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 180W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 1.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH9N80Q |
IXYS Corporation |
MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH9N80Q D# IXFH9N80Q-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH9N80Q |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
1000 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH9N80Q |
IXYS Corporation |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
8120 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH9N80Q D# NS-IXFH9N80Q |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
3644 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH9N80Q |
IXYS Corporation |
RFQ |
654 |
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