Name: IXFH60N65X2-4
Brand: IXYS
SKU: IXFH60N65X2-4
Availability: InStock
Rating: 5 (89 reviews)

IXFH60N65X2-4

Pour Référence Seulement

Référence	IXFH60N65X2-4
Fabricant	IXYS
Description	MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	9 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 30 - janv. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IXFH60N65X2-4

Fabricant	IXYS
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	HiPerFET™, Ultra X2
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	108 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6300 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	780W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	52mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-4L
Paquet / cas	TO-247-4

IXFH60N65X2-4 Packaging

IXFH60N65X2-4 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IXFH60N65X2-4.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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