Name: ISZ56DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: ISZ56DP15LMATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (153 reviews)

ISZ56DP15LMATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	ISZ56DP15LMATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	TRENCH >=100V
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	29 967 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 10 - juil. 15 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications ISZ56DP15LMATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	150 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 724µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 75 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	560mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8 FL
Paquet / cas	8-PowerTDFN

ISZ56DP15LMATMA1 Packaging

ISZ56DP15LMATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of ISZ56DP15LMATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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