Name: ISZ113N10NM5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: ISZ113N10NM5LFATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (168 reviews)

ISZ113N10NM5LFATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	ISZ113N10NM5LFATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications ISZ113N10NM5LFATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 5
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta), 63A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 36µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	11.3mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8 FL
Paquet / cas	8-PowerTDFN

ISZ113N10NM5LFATMA1 Packaging

ISZ113N10NM5LFATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of ISZ113N10NM5LFATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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