Name: ISZ080N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: ISZ080N10NM6ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (157 reviews)

ISZ080N10NM6ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	ISZ080N10NM6ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	14 370 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 4 - janv. 9 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications ISZ080N10NM6ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 6
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta), 75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.3V @ 36µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta), 100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	8.04mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8 FL
Paquet / cas	8-PowerTDFN

ISZ080N10NM6ATMA1 Packaging

ISZ080N10NM6ATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of ISZ080N10NM6ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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