Name: ISZ034N06LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: ISZ034N06LM5ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (83 reviews)

ISZ034N06LM5ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	ISZ034N06LM5ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	18 780 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 2 - janv. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications ISZ034N06LM5ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 5
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	19A (Ta), 112A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 36µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3500 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.4mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8-26
Paquet / cas	8-PowerTDFN

ISZ034N06LM5ATMA1 Packaging

ISZ034N06LM5ATMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the ISZ034N06LM5ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the ISZ034N06LM5ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of ISZ034N06LM5ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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