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ISL9N308AS3ST

ISL9N308AS3ST

ISL9N308AS3ST

Pour Référence Seulement

Référence ISL9N308AS3ST
Fabricant Fairchild Semiconductor
Description N-CHANNEL POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications ISL9N308AS3ST

FabricantFairchild Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesUltraFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs8mOhm @ 75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263AB
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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ISL9N308AS3ST FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ISL9N308AS3ST is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of ISL9N308AS3ST?
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