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ISL9N306AD3ST

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Référence ISL9N306AD3ST
Fabricant Fairchild Semiconductor
Description N-CHANNEL POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications ISL9N306AD3ST

FabricantFairchild Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesUltraFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3400 pF @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)125W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs6mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-252 (DPAK)
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

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Packing
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ISL9N306AD3ST FAQ

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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MB86H60BJ-002PB-G2000E1

Decodes both full HD MPEG-2 and H.264

LH1511BAB

SMD-6 SSR GULLWING 1 FORM B

PIC16F77-I/P

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIP

MX25L25735FMI-10G

IC FLASH 256MBIT 104MHZ 16SOP

LV8727-E

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