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ISL9N303AP3

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ISL9N303AP3

Pour Référence Seulement

Référence ISL9N303AP3
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
Fiche technique

ISL9N303AP3 Fiche technique

paquet TO-220-3
ECAD
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Spécifications ISL9N303AP3

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
ECAD
SériesUltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs172nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)215W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3.2 mOhm @ 75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

ISL9N303AP3 fiche technique

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ISL9N303AP3 FAQ

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  • 3. Are the ISL9N303AP3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of ISL9N303AP3?
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