Référence | IRG7PH35UD1-EP |
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Fabricant | Infineon Technologies |
Description | IGBT 1200V 50A 179W TO247 |
Fiche technique | |
paquet | TO-247-3 |
ECAD | |
En stock | 2 336 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
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Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP D# IRG7PH35UD1-EP |
International Rectifier |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin TO-247AD Tube - Bulk (Alt: IRG7PH35UD1-EP) RoHS: Compliant
|
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP D# 2156-IRG7PH35UD1-EP-ND |
Rochester Electronics LLC |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN |
950719 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP |
International Rectifier |
In stock shipping within 2days |
12260 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP D# 1822979 |
Infineon Technologies AG |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1EP |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1102834 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP |
International Rectifier |
OEM/CM Immediate delivery |
950 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP D# 942-IRG7PH35UD1-EP |
Infineon Technologies AG |
IGBT Transistors IGBT DISCRETES RoHS: Compliant
|
5 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP D# NS-IRG7PH35UD1-EP |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
1262 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP |
International Rectifier |
IRG7PH35 - Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode RoHS: Compliant
|
950719 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1EP |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
30775 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP |
International Rectifier |
IN stock Immediate delivery |
945 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP |
International Rectifier |
shipping today |
26996 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP |
Infineon Technologies AG |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS | IGBT 1200V 50A 179W TO247 |
10226 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRG7PH35UD1-EP D# 1822979 |
Infineon Technologies AG |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
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