Name: IRFHS8342TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHS8342TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (94 reviews)

IRFHS8342TR2PBF

Pour Référence Seulement

Référence	IRFHS8342TR2PBF
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	sept. 29 - oct. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IRFHS8342TR2PBF

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.8A (Ta), 19A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 25 V
Vgs (Max)	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Rds sur (max) @ id, vgs	16mOhm @ 8.5A, 10V
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-6
Paquet / cas	6-PowerVDFN

IRFHS8342TR2PBF Packaging

IRFHS8342TR2PBF FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFHS8342TR2PBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFHS8342TR2PBF only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFHS8342TR2PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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