Name: IRFHM8363TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8363TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (157 reviews)

IRFHM8363TR2PBF

Pour Référence Seulement

Référence	IRFHM8363TR2PBF
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 27 - janv. 1 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IRFHM8363TR2PBF

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A
Rds sur (max) @ id, vgs	14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Puissance - Max	2.7W
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur	8-PQFN-Dual (3.3x3.3)

IRFHM8363TR2PBF Packaging

IRFHM8363TR2PBF FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFHM8363TR2PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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