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IRFC5210B

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Pour Référence Seulement

Référence IRFC5210B
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET 100V 40A DIE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IRFC5210B

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesHEXFET®
Type de FET-
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C40A
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs60mOhm @ 40A, 10V
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDie
Paquet / casDie

IRFC5210B Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IRFC5210B FAQ

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  • 3. Are the IRFC5210B price and inventory displayed accurate?
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