| Référence | IRF8010STRRPBF |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Description | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| En stock | 4 992 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
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| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Séries | HEXFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3830pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 260W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 15 mOhm @ 45A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK |
| Paquet / cas | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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GT13S-1PP-HU(B) | Hirose Electric Co Ltd, CONN HOUSING FOR M TERMINALS, -, HEXFET? | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF8010STRRPBF |
International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF8010STRRPBF D# IRF8010STRRPBF-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF8010STRRPBF |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
34751 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF8010STRRPBF D# NS-IRF8010STRRPBF |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
9692 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF8010STRRPBF |
International Rectifier |
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58693 |
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