Name: IRF7779L2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7779L2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

IRF7779L2TR1PBF

Pour Référence Seulement

Référence	IRF7779L2TR1PBF
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Fiche technique	IRF7779L2TR1PBF Fiche technique
paquet	DirectFET? Isometric L8
ECAD
En stock	4 960 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 1 - juil. 6 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IRF7779L2TR1PBF

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	DirectFET? Isometric L8
ECAD
Séries	HEXFET?
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	375A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	11 mOhm @ 40A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DIRECTFET L8
Paquet / cas	DirectFET? Isometric L8

IRF7779L2TR1PBF fiche technique

IRF7779L2TR1PBF Packaging

IRF7779L2TR1PBF FAQ

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6. What is the process for return or replacement of IRF7779L2TR1PBF?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF7779L2TR1PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IRF7779L2TR1PBF Produits Connexes

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IRF7779L2TR1PBF Des garanties

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MOSFET, N CH, 150V, 67A, DIRECTFET L8

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D# IRF7779L2TR1PBFTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

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Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 150V, 67A, DIRECTFET L8

RoHS: Compliant

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