Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7341TRPBFXTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

IRF7341TRPBFXTMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IRF7341TRPBFXTMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	16 641 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 18 - nov. 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IRF7341TRPBFXTMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	HEXFET®
Type de FET	MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.7A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Puissance - Max	2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	PG-DSO-8-902

IRF7341TRPBFXTMA1 Packaging

IRF7341TRPBFXTMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF7341TRPBFXTMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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