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IRF7341QTRPBF

IRF7341QTRPBF

IRF7341QTRPBF

Pour Référence Seulement

Référence IRF7341QTRPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IRF7341QTRPBF

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C5.1A
Rds sur (max) @ id, vgs50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 25V
Puissance - Max2.4W
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-SO

IRF7341QTRPBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRF7341QTRPBF FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF7341QTRPBF?
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