Name: IRF150P221XKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF150P221XKMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (180 reviews)

IRF150P221XKMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IRF150P221XKMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IRF150P221XKMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	StrongIRFET™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	150 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	186A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.6V @ 264µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 75 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	341W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	4.5mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO247-3
Paquet / cas	TO-247-3

IRF150P221XKMA1 Packaging

IRF150P221XKMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF150P221XKMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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