| Référence | IRF1010ESTRR |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Description | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| En stock | 5 808 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | nov. 26 - déc. 1 (Choisissez l'expédition accélérée) |
| Demander un Devis |
|
| Méthodes de paiement | |
| Services de livraison |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| Séries | HEXFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 84A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK |
| Paquet / cas | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|
SIT1602BC-12-33N-37.500000E | SiTime, -20 TO 70C, 2520, 25PPM, 3.3V, 3, -, HEXFET? | Vue |
|
SIT1602BC-72-33S-62.500000E | SiTime, -20 TO 70C, 2016, 25PPM, 3.3V, 6, -, HEXFET? | Vue |
|
185104J100RHA-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE), CAP FILM 0.1UF 5% 100VDC RADIAL, Radial, HEXFET? | Vue |
|
C0805C274M4RACTU | KEMET, CAP CER 0.27UF 16V X7R 0805, 0805 (2012 Metric), HEXFET? | Vue |
|
ZMY91-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE ZENER 91V 1W DO213AB, DO-213AB, MELF (Glass), HEXFET? | Vue |
|
FT25H04T-RB | Fremont Micro Devices USA, IC FLASH 4MBIT 120MHZ 8TSSOP, 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), HEXFET? | Vue |
|
KTR25JZPJ685 | Rohm Semiconductor, RES SMD 6.8M OHM 5% 1/3W 1210, 1210 (3225 Metric), HEXFET? | Vue |
|
|
ESQT-104-02-L-Q-420 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, HEXFET? | Vue |
|
|
9916210000 | Weidmuller, PROPORT 9PIN D-SUB+8 PIN F D, -, HEXFET? | Vue |
|
|
RGM25DTKD-S288 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 50POS 0.156, -, HEXFET? | Vue |
|
R2S12-0515/HP | Recom Power, CONV DC/DC 2W 5VIN 15VOUT SMD, 12-SMD Module, 10 Leads, HEXFET? | Vue |
|
|
R5F3650NCDFB#V0 | Renesas Electronics America, IC MCU SMD, 100-LQFP, HEXFET? | Vue |
Nous garantissons la satisfaction du client à 100%.
Notre équipe de vente expérimentée et notre équipe d'assistance technique recourent à nos services pour satisfaire tous nos clients.
Nous fournissons une garantie de 90 jours.
Si les articles que vous avez reçus n'étaient pas de qualité parfaite, nous serions responsables de votre remboursement ou de votre remplacement, mais les articles doivent être retournés dans leur état d'origine.
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ESTRR |
International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ESTRR D# IRF1010ESTRR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ESTRR D# NS-IRF1010ESTRR |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
5363 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
Avez-vous une question à propos de IRF1010ESTRR?
86-755-83210559-841
Scannez pour afficher cette page
