Name: IQE065N10NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IQE065N10NM5SCATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (175 reviews)

IQE065N10NM5SCATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IQE065N10NM5SCATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 15 - janv. 20 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IQE065N10NM5SCATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 5
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta), 85A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 48µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	6.5mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-WHSON-8-1
Paquet / cas	8-PowerWDFN

IQE065N10NM5SCATMA1 Packaging

IQE065N10NM5SCATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IQE065N10NM5SCATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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