Name: IQE050N08NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IQE050N08NM5SCATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (114 reviews)

IQE050N08NM5SCATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IQE050N08NM5SCATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	févr. 8 - févr. 13 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IQE050N08NM5SCATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 5
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	16A (Ta), 99A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 49µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2900 pF @ 40 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-WHSON-8-1
Paquet / cas	8-PowerWDFN

IQE050N08NM5SCATMA1 Packaging

IQE050N08NM5SCATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IQE050N08NM5SCATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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