Name: IQE013N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IQE013N04LM6CGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (184 reviews)

IQE013N04LM6CGATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IQE013N04LM6CGATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	16 482 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	févr. 6 - févr. 11 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IQE013N04LM6CGATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	31A (Ta), 205A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 51µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 20 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	1.35mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount, Wettable Flank
Package de périphérique fournisseur	PG-TTFN-9-1
Paquet / cas	8-PowerTDFN

IQE013N04LM6CGATMA1 Packaging

IQE013N04LM6CGATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IQE013N04LM6CGATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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