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IPW60R160C6FKSA1

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IPW60R160C6FKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IPW60R160C6FKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 246 piece(s)
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Spécifications IPW60R160C6FKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C23.8A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 750µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1660 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)176W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs160mOhm @ 11.3A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-3-1
Paquet / casTO-247-3

IPW60R160C6FKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPW60R160C6FKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPW60R160C6FKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPW60R160C6FKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPW60R160C6FKSA1?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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