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IPW60R125C6FKSA1

IPW60R125C6FKSA1

IPW60R125C6FKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IPW60R125C6FKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 810 piece(s)
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Spécifications IPW60R125C6FKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C30A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 960µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2127 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)219W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs125mOhm @ 14.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-3-1
Paquet / casTO-247-3

IPW60R125C6FKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPW60R125C6FKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPW60R125C6FKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPW60R125C6FKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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