Name: IPTG018N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPTG018N10NM5ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (155 reviews)

IPTG018N10NM5ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPTG018N10NM5ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	5 400 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	sept. 29 - oct. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPTG018N10NM5ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	32A (Ta), 273A Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 202µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 273W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	1.8mOhm @ 150A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-HSOG-8-1
Paquet / cas	8-PowerSMD, Gull Wing

IPTG018N10NM5ATMA1 Packaging

IPTG018N10NM5ATMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPTG018N10NM5ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPTG018N10NM5ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPTG018N10NM5ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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