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IPTG011N08NM5ATMA1

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Pour Référence Seulement

Référence IPTG011N08NM5ATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 10 371 piece(s)
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Spécifications IPTG011N08NM5ATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™ 5
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C42A (Ta), 408A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 280µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs223 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds17000 pF @ 40 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.1mOhm @ 150A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-HSOG-8-1
Paquet / cas8-PowerSMD, Gull Wing

IPTG011N08NM5ATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IPTG011N08NM5ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPTG011N08NM5ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPTG011N08NM5ATMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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PHOTODIODE BI-CELL TO-46

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0452007.MRL

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD

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3-6318491-6

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SMBJ12CA-TR

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