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IPP90R800C3XKSA2

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Pour Référence Seulement

Référence IPP90R800C3XKSA2
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPP90R800C3XKSA2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)900 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.9A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 460µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)104W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs800mOhm @ 4.1A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO220-3-1
Paquet / casTO-220-3

IPP90R800C3XKSA2 Packaging

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Sealing
Packing
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IPP90R800C3XKSA2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP90R800C3XKSA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPP90R800C3XKSA2 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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