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IPP65R310CFDXKSA1

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Pour Référence Seulement

Référence IPP65R310CFDXKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPP65R310CFDXKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C11.4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 440µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)104.2W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs310mOhm @ 4.4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO220-3
Paquet / casTO-220-3

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Sealing
Packing
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IPP65R310CFDXKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP65R310CFDXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPP65R310CFDXKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPP65R310CFDXKSA1?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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