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IPP60R600C6XKSA1

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IPP60R600C6XKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IPP60R600C6XKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPP60R600C6XKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 200µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)63W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs600mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO220-3
Paquet / casTO-220-3

IPP60R600C6XKSA1 Packaging

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Packing
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IPP60R600C6XKSA1 FAQ

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  • 3. Are the IPP60R600C6XKSA1 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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