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IPP60R190P6XKSA1

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IPP60R190P6XKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IPP60R190P6XKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 9 558 piece(s)
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Spécifications IPP60R190P6XKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™ P6
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20.2A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 630µ
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1750 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)151W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs190mOhm @ 7.6A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO220-3
Paquet / casTO-220-3

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Packing
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IPP60R190P6XKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP60R190P6XKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPP60R190P6XKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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