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IPP60R125CFD7XKSA1

IPP60R125CFD7XKSA1

IPP60R125CFD7XKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IPP60R125CFD7XKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 969 piece(s)
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Spécifications IPP60R125CFD7XKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C18A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 390µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1503 pF @ 400 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)92W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs125mOhm @ 7.8A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO220-3
Paquet / casTO-220-3

IPP60R125CFD7XKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPP60R125CFD7XKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP60R125CFD7XKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPP60R125CFD7XKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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    (1)Inform us within 90 days
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