Name: IPP023NE7N3G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP023NE7N3G
Availability: InStock
Rating: 5 (121 reviews)

IPP023NE7N3G

Pour Référence Seulement

Référence	IPP023NE7N3G
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 10 - juil. 15 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPP023NE7N3G

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 3
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	75 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14400 pF @ 37.5 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220-3
Paquet / cas	TO-220-3

IPP023NE7N3G Packaging

IPP023NE7N3G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP023NE7N3G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP023NE7N3G only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP023NE7N3G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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