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IPG20N06S2L65AAUMA1

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Pour Référence Seulement

Référence IPG20N06S2L65AAUMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPG20N06S2L65AAUMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS®
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 14µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 25V
Puissance - Max43W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount, Wettable Flank
Paquet / cas8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseurPG-TDSON-8-10

IPG20N06S2L65AAUMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPG20N06S2L65AAUMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPG20N06S2L65AAUMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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