Name: IPDQ65R029CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDQ65R029CFD7XTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (113 reviews)

IPDQ65R029CFD7XTMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPDQ65R029CFD7XTMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	HIGH POWER_NEW
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	sept. 26 - oct. 1 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPDQ65R029CFD7XTMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	85A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.79mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	139 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7149 pF @ 400 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	463W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	29mOhm @ 35.8A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-HDSOP-22-1
Paquet / cas	22-PowerBSOP Module

IPDQ65R029CFD7XTMA1 Packaging

IPDQ65R029CFD7XTMA1 FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPDQ65R029CFD7XTMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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