Name: IPDQ60R017S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDQ60R017S7XTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (117 reviews)

IPDQ60R017S7XTMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPDQ60R017S7XTMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPDQ60R017S7XTMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolMOS™ S7
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.89mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	196 nC @ 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7370 pF @ 300 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	500W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	17mOhm @ 29A, 12V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-HDSOP-22-1
Paquet / cas	22-PowerBSOP Module

IPDQ60R017S7XTMA1 Packaging

IPDQ60R017S7XTMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPDQ60R017S7XTMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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