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IPD90N03S4L02ATMA1

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Pour Référence Seulement

Référence IPD90N03S4L02ATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 156 984 piece(s)
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Spécifications IPD90N03S4L02ATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C90A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 90µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds9750 pF @ 25 V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)136W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.2mOhm @ 90A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO252-3-11
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

IPD90N03S4L02ATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPD90N03S4L02ATMA1 FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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