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IPD60R520C6BTMA1

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IPD60R520C6BTMA1

Pour Référence Seulement

Référence IPD60R520C6BTMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPD60R520C6BTMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™ C6
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C8.1A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 230µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs23.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds512 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)66W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs520mOhm @ 2.8A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO252-3
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

IPD60R520C6BTMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPD60R520C6BTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD60R520C6BTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD60R520C6BTMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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