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IPD30N03S4L09ATMA1

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Pour Référence Seulement

Référence IPD30N03S4L09ATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPD30N03S4L09ATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C30A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 13µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1520 pF @ 15 V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)42W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs9mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO252-3-11
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

IPD30N03S4L09ATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD30N03S4L09ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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