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IPD088N06N3GATMA1

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Pour Référence Seulement

Référence IPD088N06N3GATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPD088N06N3GATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 34µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 30 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)71W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs8.8mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO252-3-311
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

IPD088N06N3GATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IPD088N06N3GATMA1 FAQ

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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD088N06N3GATMA1.
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