Name: IPD031N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD031N06L3GATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

IPD031N06L3GATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPD031N06L3GATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	212 697 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 10 - juil. 15 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPD031N06L3GATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 93µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13000 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	167W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.1mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / cas	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

IPD031N06L3GATMA1 Packaging

IPD031N06L3GATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD031N06L3GATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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