Name: IPBE65R050CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPBE65R050CFD7AATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (143 reviews)

IPBE65R050CFD7AATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPBE65R050CFD7AATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	8 553 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 10 - juil. 15 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPBE65R050CFD7AATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolMOS™ CFD7A
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	45A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.24mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4975 pF @ 400 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	227W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	50mOhm @ 24.8A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-7-3-10
Paquet / cas	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB

IPBE65R050CFD7AATMA1 Packaging

IPBE65R050CFD7AATMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPBE65R050CFD7AATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPBE65R050CFD7AATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPBE65R050CFD7AATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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