Name: IPB70N10S3L12ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB70N10S3L12ATMA2
Availability: InStock
Rating: 5 (88 reviews)

IPB70N10S3L12ATMA2

Pour Référence Seulement

Référence	IPB70N10S3L12ATMA2
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET_(75V 120V(
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 10 - juil. 15 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB70N10S3L12ATMA2

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	70A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 83µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5570 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	12.1mOhm @ 70A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB70N10S3L12ATMA2 Packaging

IPB70N10S3L12ATMA2 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB70N10S3L12ATMA2.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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