Name: IPB65R190CFDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R190CFDATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

IPB65R190CFDATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB65R190CFDATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 6 - juil. 11 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB65R190CFDATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 730µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1850 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	151W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	190mOhm @ 7.3A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB65R190CFDATMA1 Packaging

IPB65R190CFDATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB65R190CFDATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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